发布日期：2024-12-09 20:26    点击次数：124

IT之家 12 月 9 日音讯筋膜枪 自慰，韩媒 SEDaily 当地时间本月 6 日征引音讯东谈主士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的拓荒，并从上月运行将该技能升沉至位于平泽 1 号工场的量产线上。

参考IT之家此前报谈，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 外洋固态电路会议上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该居品罗致晶圆键合技能，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。

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韩媒觉得三星 V10 NAND 将罗致三堆栈结构。据悉该闪存在拓荒阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正发奋在量产线上提高第 10 代 V-NAND 良率，若是情况凯旋将于 2025 下半年赢得 PRA 量产就绪许可，最快来岁二季度末就可能参加量产阶段。

把柄 TrendForce 集邦接头数据筋膜枪 自慰，三星电子在 2024 年三季度赓续蝉联第一大 NAND 闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过现实先进产能以进一步建壮进情势位：三星方案来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程升级责任也在鼓舞。

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